檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "Ching-Hwa Ho".ecommittee (精準) and year="98"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本次論文研究主要是以使用Ti[OCH(CH3)2]4當前驅物，於垂直冷壁式有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統中成長垂直成長二氧化鈦(Titanium dioxide，TiO2)奈米晶體。首先藉由…
2
本實驗使用反應式離子束濺鍍法在矽(100) 基板上沉積氧化鋅掺雜鋁薄膜，利用改變基板溫度、鋁摻雜含量來觀察薄膜特性的改變，分別使用200℃、100℃及室溫來成長薄膜。200℃沉積之晶粒大小最大約為9…
3
近年來，由於能源的危機，大家紛紛投入太陽能電池的研究與發展。目前化合物薄膜太陽能電池以銅銦鎵硒為主，但由於成本高昂，故無法普及化，因此需要新的材料來控制成本，因而發展出硫化銅錫鋅與硒化銅錫鋅兩種化合…
4
本論文主要研究以氣態源分子束磊晶法成長之量子點與量子井複合結構之光學性質。吾人藉由光子調制反射光譜、光激發螢光光譜與表面光電壓光譜量測技術來探討其光學性質。光子調制反射光譜可以讓吾人分析砷化鎵之FK…
5
近年來，傳統浮動閘極記憶體面臨尺寸微縮的挑戰，例如在穿隧氧化層之非揮發性記憶體在一個很長的操作期間，容易地產生漏電流路徑，因此，分散的儲存電荷之奈米晶結構是下一代非揮發性記憶體元件結構。 本實驗以濺…
6
由於銻砷化鎵/砷化鎵(GaAs1-xSbx/GaAs)量子井的特殊能帶排列，使其可達到長波長的發光，因此可應用於1.3 μm的光纖傳輸光源上，然而對於銻砷化鎵/砷化鎵量子井結構能帶排列為第一型(ty…
7
本文藉由改變離子束轟擊角度，使Si (100) 基板表面產生不同波長之波紋形貌；使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅奈米粒子，經由改變成長時間、基板溫度，討論最佳奈米粒子成長參數；最後將奈米粒子分別沉積…
8
本實驗為利用離子束能量8、12以及16 keV 沉積不同表面粗糙度的鋅薄膜，再以330、380、400以及420 ℃熱氧化成長氧化鋅奈米線。實驗結果發現只有在離子束能量為12 keV 所沉積的鋅薄膜…
9
本論文主要利用純度為99.95%釕靶材，藉由反應式射頻磁控濺鍍系統來研究二氧化釕成長於奈米碳管上之複合物分析，和對於此複合物做初步電容測試探討。利用不同的濺鍍條件，基板成長的溫度不同，可控制晶系結構…